继成功交付手机品牌终端后，格科国创格科自主研发的膺中第二代0.7μm 5000万像素图像传感器GC50E1，凭借突破性的新I芯奖秀奖像素设计与优异的成像性能，荣膺集成电路行业权威奖项——2025中国创新IC强芯奖之潜力新秀奖，力新赢得市场与行业的格科国创双重认可。

2025中国创新IC强芯奖由中国集成电路设计创新联盟及《中国集成电路》编委联合评选，膺中旨在评选出一批技术领先、新I芯奖秀奖竞争力强、力新质量可靠的格科国创中国创芯产品。此次评选共有102家企业、膺中141款芯片同台角逐，新I芯奖秀奖GC50E1脱颖而出，力新彰显格科在高像素CIS领域的格科国创技术引领力。

GC50E1基于格科GalaxyCell2.0工艺平台打造，膺中针对多种拍摄环境特别是新I芯奖秀奖暗光场景，显著增强成像细节并有效降低噪声。GalaxyCell2.0平台集成了进阶的FPPIPlus隔离技术，有效降低了像素暗电流；同时通过高性能背部深沟槽隔离（BDTI），加深光电二极管结构。

这两项核心像素技术使0.7μm像素的满阱容量（FWC）提升约30%、量子效率（QE）提升约20%，并保持优异的白点（WP）水平，同时暗光环境下信噪比（SNR）显著改善。得益于此，GC50E1无论在明亮还是低光环境下，都能捕捉更丰富的细节与色彩，呈现更清晰、纯净的画面，全面提升用户的影像体验。

GC50E1适配高性能前置自拍摄像头以及后置主摄和超广角镜头，已获得手机品牌认可并实现出货。